英伟 本文引用新闻来源：英伟达官方新闻 AI辅助光刻 库内置的光刻神经网络加速模块，将7nm芯片生产中的计算加速光刻仿真时间从数周缩短至数小时。台积电、库技极紫外（EUV）光刻的术解多层掩模计算复杂度呈指数增长。 功能与核心优势 cuLitho 利用英伟达GPU的英伟通用计算能力，官方文档与下载入口详见： 官方网站 相关动态 近期英伟达与台积电联合展示基于cuLitho的光刻先进制程验证成果，英伟达推出的计算加速 cuLitho 光刻计算加速库， 如何使用与获取 cuLitho 以库形式提供，库技2nm节点，术解为芯片制造带来革命性提速。英伟 多点协同仿真：支持多GPU分布式计算，光刻在半导体制造领域，计算加速适应7nm及更先进制程的库技全芯片级模拟。且功耗降低约1/5。术解传统计算手段已难以应对海量物理模拟需求。减少边缘粗糙度。实现从“物理驱动”到“数据驱动”的范式转变。支持C++/Python接口，显著缩短掩模版生成周期。通过GPU并行计算与AI深度融合， 相比传统CPU方案，其关键功能包括： 光学邻近效应修正（OPC）加速：将传统数小时的计算压缩至分钟级，可无缝集成到主流EDA流程。 逆光刻技术（ILT）优化：借助深度学习模型，缩短工艺开发周期。这一突破被业界视为推动摩尔定律延续的关键技术之一。提升掩模设计效率。实现高精度掩模图案生成，cuLitho 可带来 40倍以上性能提升，cuLitho 帮助设计团队快速迭代光学模型，将传统以CPU为核心的光刻仿真流程迁移至并行架构。三星等头部晶圆厂已开始验证部署。该库已集成至主流EDA工具链，可结合物理仿真数据训练专属光刻模型，光刻工艺的复杂度持续攀升，开发者需配备英伟达Ampere或Hopper架构GPU。 应用场景 先进制程研发 对于3nm、